SJ 50033.82-1995 半导体分立器件.3DK100型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
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ID： |
F85417ABEA3647B58BD84EBE01AE42EE |
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文件大小(MB)： |
0.45 |
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12 |
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日期： |
2024-7-28 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/82-1995,半导体分立器件,3DK100型NPN硅小功率开关,晶体管详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type 3DK100 NPN silicon,low-power switching transistor,1995-05-25 发布1995-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,下载,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,3DK100型NPN硅小功率开关,晶体管详细规范,SJ 50033/82-1995,Semiconductor discrete device,Detail specification for type 3DK100 NPN silicon,low-power switching transistor,范围,1.I 主题内容,本规范规定了 3DK100型NPN硅小功率开关晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33（半导体分立器件总规范》1.3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超,特军三级,分别用字母GP.GT和GCT表示,2引用文件,GB 4587-84双极型晶体管测试方法,GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸,GJB 33—85 半导体分立器件总规范,GJB 128—86半导体分立需件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端材料应为可伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端材料和涂层要,中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布 1995-12-0I实施,SJ 50033/82-1995,求选择或另有要求时,在合同或订单中应明确规定（见6.3）,3.2,2器件结构,采用NPN硅外延平面型结构,3.2.3外形尺寸,外形尺寸按GB 7581的A3-01B型及如下规定,见图1,引出端极性:,1 .发射极,2 .基板,3 .集电极,代号,尺寸,最 小标称最大,A 4.32 — 5.33,如— 2.54 —,祐1 — — L01,畅2 0.407 — Q.5Q8,め5.31 — 5.84,如4.53 — 4.95,2,SJ 50033/82-1995,续表,代 号,尺寸,最 小标 称最 大,i 0.92 1.04 1.166,k 0.51 一L21,L 12,5 一25.0,LI — — 1.27,图1外形尺寸,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,型 号,rp totD,Ta =25 匕,(W),Tc =25乃,(W),Vcao,(V),^CEO,(V),匕疯＞,(V),Ic,(mA),丁西和ふ,(V),3DK100 0.1 0,3 20 15 4 30 -65 ~ + 200,注:1) 丁ん>25七,按0.57mW八;的速率线性降额,2) Tc >251,按L7mW/匕的速率线性降额,3.3.2主要电特性(Ta =25匕),参 数,型 号,极限值,符 号(单位) 测试条件最小值最大值,ん田%=1V,Ic =0-5mA,3DK100,20 一,るFE2 Vce=1V,二 3mA,30 —,^FE3 Vce-IV,Iq 二 10mA,40 200,んFE4 Vce=IV,Ic =20mA,20 一,h (MHz) 匕メV,Ic = 3mA,/ = 100MHz,300 —,4 (pP) Vcb=6V,Ie =0,/ = lMHz,一3,3,SU 50033/82-1995,续表,参 数,型 号,极限值,符 号（单位） 测試条件最小值最大值,J (na) Iq = IOtdA,/B = 1mA,3DK100,一20,士 曲(ns) Iq — IQmA,『bi =1m ~ 1mA,3DK100A — 35,3DK100B — 25,Kg (V) Ic - 10mA,% = 1mA,3DK100,— 0.3,Vu (V) Ic = 10mA,『b 二 1mA,— 0.9,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 458?及本规范的规定,3.5 标志,器件的标志应按GJB 33的规定,4质量保证规定,4.1 抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4,3 筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表!进行,超过本规范表1极,限值的器件应予剔除,?选,(见 GJB 33 表 2),测 试 和 试 験,7、中间參数测试『GKM和ム通,8、功率老化见431,9、最后测试,按本规范表1的A2分组;,△Icboi =初始值的100%或15nA;取其较大者;,△ホ=±20%,43.1功率老化条件,功率老化条件如下I,Ta =25±31C,Vcb = 10V,R°r = lOOmW,下载,SJ 50033/82-1995,注:不允许器件上加散热器或强迫风冷,4.4 质量一致性检验,质量一致性检验应按GJB 33的规定进行,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化……
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